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Infineon Mosfet, Canale N, 4,8 MΩ, 100 A, Tdson, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 4,8 MΩ, 100 A, Tdson, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 4,8 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: OptiMOS™ 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 139 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 132 nC a 10 V, MPN: BSC028N06LS3 G

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