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Infineon Mosfet, Canale N, 8,6 MΩ, 100 A, Tdson, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 8,6 MΩ, 100 A, Tdson, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 8,6 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Serie: OptiMOS™ 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 156 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 63 nC a 10 V, Larghezza: 5.35mm, Lunghezza: 6.1mm, MPN: BSC070N10NS3G

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