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Infineon Mosfet, Canale N, 2,9 MΩ, 100 A, Tdson, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 2,9 MΩ, 100 A, Tdson, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 2,9 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 96 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: BSC020N03LSGATMA2

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