Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 99 MΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB65R099CFD7AATMA1
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 650 V, 99 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie IPB65R099CFD7AATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 24A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Serie: OptiMOS, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 99mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 127W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 53nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C
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