Infineon
Infineon Mosfet Di Potenza, Canale Canale N 30 V, 1.8 MΩ Miglioramento, 125 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET di potenza, canale Canale N 30 V, 1.8 mΩ Miglioramento, 125 A, 3 Pin, PG-TO263-3, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 125A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Serie: StrongIRFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 1.8mΩ, Tensione diretta (Vf): 1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 167W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 46nC, MPN: IPB018N03LF2SATMA1
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