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Infineon Mosfet Di Potenza, Canale Canale N 650 V, 95 MΩ Miglioramento, 28 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Foro Passante-image

Infineon Mosfet Di Potenza, Canale Canale N 650 V, 95 MΩ Miglioramento, 28 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Foro Passante

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET di potenza, canale Canale N 650 V, 95 mΩ Miglioramento, 28 A, 7 Pin, PG-TO263-7, Foro passante, Massima corrente di scarico continua (Id): 28A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Serie: CoolSiC, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 95mΩ, Dissipazione di potenza massima (Pd): 124W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 32nC, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, Altezza: 4.5mm, MPN: IMBG65R075M2HXTMA1

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