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Onsemi Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 82 MΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NVB082N65S3F-image

Onsemi Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 82 MΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NVB082N65S3F

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Marcaonsemi
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onsemi MOSFET, canale Tipo N 650 V, 82 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NVB082N65S3F, Massima corrente di scarico continua (Id): 40A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 82mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 313W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 81nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C, Altezza: 4.58mm

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