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Onsemi Mosfet, Canale Tipo N 1200 V, 40 MΩ Miglioramento, 60 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

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Marcaonsemi
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onsemi MOSFET, canale Tipo N 1200 V, 40 mΩ Miglioramento, 60 A, 7 Pin, TO-263, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 60A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 1200V, Serie: NTB, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 40mΩ, Tensione diretta (Vf): 3.7V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 25 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 357W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 106nC, MPN: NTBG040N120SC1

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