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Rohm Mosfet, Canale P, 9,6 Ω, 200 Ma, SC-75, Montaggio Superficiale-image

Rohm Mosfet, Canale P, 9,6 Ω, 200 Ma, SC-75, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaROHM
CondizioneNuovo
Descrizione
ROHM MOSFET, canale P, 9,6 Ω, 200 mA, SC-75, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.3V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 150 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±10 V, Carica gate tipica @ Vgs: 1,4 nC a 4,5 V, Larghezza: 0.96mm, MPN: RE1C002ZPTL

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