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Rohm Mosfet, Canale N, 4,8 Ω, 200 Ma, SC-75, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaROHM
CondizioneNuovo
Descrizione
ROHM MOSFET, canale N, 4,8 Ω, 200 mA, SC-75, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Serie: RE1C002UN, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 0.3V, Dissipazione di potenza massima: 150 mW, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Larghezza: 0.96mm, Lunghezza: 1.7mm, MPN: RE1C002UNTCL

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