Nexperia

Nexperia Mosfet, Canale N, 200 MΩ, 1,05 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaNexperia
CondizioneNuovo
Descrizione
Nexperia MOSFET, canale N, 200 mΩ, 1,05 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.85V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 417 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Carica gate tipica @ Vgs: 3,9 nC a 4,5 V, Larghezza: 1.4mm, MPN: BSH105,215

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