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Infineon Mosfet, Canale N, 8 Ω, 230 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 8 Ω, 230 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 8 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: SIPMOS®, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 1,4 nC a 5 V, MPN: BSS159N

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