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Infineon Mosfet, Canale N, 600 Ω, 21 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 600 Ω, 21 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 600 Ω, 21 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Serie: SIPMOS®, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.6V, Tensione di soglia gate minima: 1.4V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 0,65 nC a 10 V, MPN: BSS127

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