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Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo N 80 V, 3.1 MΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie-image

Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo N 80 V, 3.1 MΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET e diodo, canale Tipo N 80 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 120A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 80V, Serie: OptiMOS 3, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 3.1mΩ, Standard/Approvazioni: No, MPN: IPB031N08N5ATMA1

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