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Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo N 80 V, 1.9 MΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-263, Superficie-image

Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo N 80 V, 1.9 MΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET e diodo, canale Tipo N 80 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-263, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 180A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 80V, Serie: OptiMOS™ 3, Serie: OptiMOS 3, Tipo di package: D2PAK (TO-263), Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, MPN: IPB019N08N3GATMA1

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