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Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo N 100 V, 6.5 MΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB065N10N3GATMA1-image

Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo N 100 V, 6.5 MΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB065N10N3GATMA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET e diodo, canale Tipo N 100 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB065N10N3GATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 80A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: OptiMOS 3, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 6.5mΩ, Standard/Approvazioni: No

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