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Vishay 2 Mosfet Di Potenza Tipo Isolato, Canale Tipo P, 790 MΩ, 1.1 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin-image

Vishay 2 Mosfet Di Potenza Tipo Isolato, Canale Tipo P, 790 MΩ, 1.1 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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MarcaVishay
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Vishay 2 MOSFET di potenza Tipo isolato, canale Tipo P, 790 mΩ, 1.1 A 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin, Massima corrente di scarico continua (Id): 1.1A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 20V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 790mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 8 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 1.25W, Minima temperatura operativa: 150°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 2.6nC, Temperatura massima di funzionamento: -55°C, MPN: SI1967DH-T1-GE3

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