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Onsemi 2 Mosfet Di Potenza Tipo Isolato, Canale Tipo N, Tipo P, 190 MΩ, 3.9 A 30 V, Soic, Superficie Miglioramento, 8-image

Onsemi 2 Mosfet Di Potenza Tipo Isolato, Canale Tipo N, Tipo P, 190 MΩ, 3.9 A 30 V, Soic, Superficie Miglioramento, 8

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Marcaonsemi
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onsemi 2 MOSFET di potenza Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 190 mΩ, 3.9 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8, Massima corrente di scarico continua (Id): 3.9A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 190mΩ, Dissipazione di potenza massima (Pd): 2W, Minima temperatura operativa: 150°C, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Temperatura massima di funzionamento: -55°C, Altezza: 1.5mm, MPN: SI4532DY

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