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Onsemi 2 Mosfet Di Potenza Tipo Isolato, Canale Tipo N, 80 MΩ, 4 A 30 V, Soic, Superficie Miglioramento, 8 Pin-image

Onsemi 2 Mosfet Di Potenza Tipo Isolato, Canale Tipo N, 80 MΩ, 4 A 30 V, Soic, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Marcaonsemi
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Descrizione
onsemi 2 MOSFET di potenza Tipo isolato, canale Tipo N, 80 mΩ, 4 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin, Massima corrente di scarico continua (Id): 4A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 80mΩ, Tensione diretta (Vf): 0.82V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 2W, Minima temperatura operativa: 150°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 8nC, Temperatura massima di funzionamento: -55°C, MPN: NTMD4N03R2G

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