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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 600 MΩ, 7,5 A, TO-220, Su Foro-image

Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 600 MΩ, 7,5 A, TO-220, Su Foro

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Specifiche
MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 600 mΩ, 7,5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 85 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 15.75mm, MPN: STP10N60M2

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