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Infineon Mosfet, Canale P, 165 MΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale P, 165 MΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale P, 165 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.02mm, MPN: IRLML9303TRPBF

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