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Vishay Mosfet, Canale Canale N 650 V, 0.08 Ω Miglioramento, 29 A, 4 Pin, Powerpak 8 X 8, Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale Canale N 650 V, 0.08 Ω Miglioramento, 29 A, 4 Pin, Powerpak 8 X 8, Montaggio Superficiale

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MarcaVishay
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Descrizione
Vishay MOSFET, canale Canale N 650 V, 0.08 Ω Miglioramento, 29 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Montaggio superficiale, Massima corrente di scarico continua (Id): 29A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Serie: E Series, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.08Ω, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±30 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 160W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 52nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C, MPN: SIHH075N65E-T1-GE3

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