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Vishay Mosfet, Canale Canale N 650 V, 0.059 Ω Miglioramento, 34 A, 4 Pin, Powerpak SO-8, Superficie Sihh068N60E-image

Vishay Mosfet, Canale Canale N 650 V, 0.059 Ω Miglioramento, 34 A, 4 Pin, Powerpak SO-8, Superficie Sihh068N60E

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MarcaVishay
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Descrizione
Vishay MOSFET, canale Canale N 650 V, 0.059 Ω Miglioramento, 34 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiHH068N60E, Massima corrente di scarico continua (Id): 34A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.059Ω, Tensione diretta (Vf): 600V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 10V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 202W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 53nC, MPN: SIHH068N60E-T1-GE3

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