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Vishay Mosfet, Canale Canale N 650 V, 0.043 Ω Miglioramento, 48 A, 4 Pin, Powerpak SO-8, Superficie Sihk045N60E-image

Vishay Mosfet, Canale Canale N 650 V, 0.043 Ω Miglioramento, 48 A, 4 Pin, Powerpak SO-8, Superficie Sihk045N60E

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MarcaVishay
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Vishay MOSFET, canale Canale N 650 V, 0.043 Ω Miglioramento, 48 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiHK045N60E, Massima corrente di scarico continua (Id): 48A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.043Ω, Tensione diretta (Vf): 600V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 278W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 65nC, MPN: SIHK045N60EF-T1GE3

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