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Onsemi Mosfet, Canale P, 85 MΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale P, 85 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 730 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Carica gate tipica @ Vgs: 7,5 nC a 4,5 V, Larghezza: 1.3mm, Lunghezza: 2.9mm, MPN: NTR4101PT1G

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