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Infineon Mosfet, Canale P, 600 MΩ, 760 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale P, 600 MΩ, 760 Ma, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale P, 600 mΩ, 760 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Serie: HEXFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 3,4 nC a 10 V, MPN: IRLML5103TRPBF

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