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Infineon Mosfet, Canale N, 600 MΩ, 950 Ma, SOT-363, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 600 MΩ, 950 Ma, SOT-363, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 600 mΩ, 950 mA, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Serie: OptiMOS™ 2, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Carica gate tipica @ Vgs: 0,32 nC a 4,5 V, MPN: BSD235NH6327XT

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