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Vishay Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 0.0126 Ω Miglioramento, 55.9 A, 8 Pin, 1212-8S, Superficie SISS5110DN-T1-GE3-image

Vishay Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 0.0126 Ω Miglioramento, 55.9 A, 8 Pin, 1212-8S, Superficie SISS5110DN-T1-GE3

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MarcaVishay
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Vishay MOSFET, canale Tipo N 100 V, 0.0126 Ω Miglioramento, 55.9 A, 8 Pin, 1212-8S, Superficie SISS5110DN-T1-GE3, Massima corrente di scarico continua (Id): 55.9A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.0126Ω, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 56.8W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 20nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C

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