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Vishay Mosfet, Canale P, 130 MΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale P, 130 MΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale P, 130 mΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Carica gate tipica @ Vgs: 15 nC a 8 V, Larghezza: 1.4mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: SI2367DS-T1-GE3

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