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Onsemi Mosfet, Canale P, 240 MΩ, 950 Ma, SOT-563, Montaggio Superficiale-image

Onsemi Mosfet, Canale P, 240 MΩ, 950 Ma, SOT-563, Montaggio Superficiale

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale P, 240 mΩ, 950 mA, SOT-563, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 210 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 0.6mm, Lunghezza: 1.7mm, MPN: NTZS3151PT1G

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