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Onsemi Mosfet, Canale P, 2 Ω, 430 Ma, SOT-563, Montaggio Superficiale

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale P, 2 Ω, 430 mA, SOT-563, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 280 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -6 V, +6 V, Carica gate tipica @ Vgs: 1,7 nC a 4,5 V, Larghezza: 1.3mm, Lunghezza: 1.7mm, MPN: NTZD3152PT1G

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