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Vishay Mosfet, Canale Canale P -20 V, 0.0042 Ω Miglioramento, -136.7 A, 8 Pin, Powerpak SO-8, Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale Canale P -20 V, 0.0042 Ω Miglioramento, -136.7 A, 8 Pin, Powerpak SO-8, Montaggio Superficiale

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MarcaVishay
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Vishay MOSFET, canale Canale P -20 V, 0.0042 Ω Miglioramento, -136.7 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale, Massima corrente di scarico continua (Id): -136.7A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): -20V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.0042Ω, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±12 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 65.7W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 139nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C, MPN: SIR5207DP-T1-UE3

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