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Vishay Mosfet, Canale Canale P -20 V, 0.011 Ω Miglioramento, -136.7 A, 8 Pin, Powerpak 1212-8S, Superficie-image

Vishay Mosfet, Canale Canale P -20 V, 0.011 Ω Miglioramento, -136.7 A, 8 Pin, Powerpak 1212-8S, Superficie

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MarcaVishay
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Vishay MOSFET, canale Canale P -20 V, 0.011 Ω Miglioramento, -136.7 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): -136.7A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): -20V, Serie: TrenchFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 0.011Ω, Dissipazione di potenza massima (Pd): 65.7W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 139nC, Temperatura massima di funzionamento: 150°C, Altezza: 0.83mm, MPN: SISS5207DN-T1-UE3

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