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Infineon Mosfet, Canale P, 2,1 Ω, 310 Ma, SOT-323, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale P, 2,1 Ω, 310 Ma, SOT-323, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale P, 2,1 Ω, 310 mA, SOT-323, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Serie: OptiMOS P, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Carica gate tipica @ Vgs: 0,5 nC a 4,5 V, MPN: BSS223PWH6327XTSA1

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