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Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo P 30 V, 4.1 MΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie-image

Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo P 30 V, 4.1 MΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET e diodo, canale Tipo P 30 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 90A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Serie: OptiMOS, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 4.1mΩ, Tensione diretta (Vf): -1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 5 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 137W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 125nC, MPN: IPD90P03P4L04ATMA2

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