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Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo P 40 V, 7.8 MΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-252, Superficie-image

Infineon Mosfet E Diodo, Canale Tipo P 40 V, 7.8 MΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET e diodo, canale Tipo P 40 V, 7.8 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 70A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 40V, Serie: OptiMOS, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 7.8mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 71nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 75W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): -1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 5 V, MPN: IPD70P04P4L08ATMA2

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