Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo N 800 V, 2.7 Ω Miglioramento, 2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 800 V, 2.7 Ω Miglioramento, 2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 2A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 800V, Serie: IPD, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 2.7Ω, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 42W, Minima temperatura operativa: -40°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 12nC, MPN: IPD80R2K7C3AATMA1
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