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Onsemi Mosfet, Canale P, 1 Ω, 880 Ma, SOT-363, Montaggio Superficiale

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale P, 1 Ω, 880 mA, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Tipo di package: SOT-363 (SC-88), Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Altezza: 1mm, Lunghezza: 2.2mm, MPN: NTJD4152PT1G

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