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Infineon Mosfet, Canale Tipo P 60 V, 81 MΩ Miglioramento, -19.5 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8FL, Superficie ISZ810P06LMATMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo P 60 V, 81 MΩ Miglioramento, -19.5 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8FL, Superficie ISZ810P06LMATMA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo P 60 V, 81 mΩ Miglioramento, -19.5 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8FL, Superficie ISZ810P06LMATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): -19.5A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 60V, Serie: OptiMOS Power Transistor, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 81mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 83W, Minima temperatura operativa: -55°C, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, Standard/Approvazioni: RoHS Compliant

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