STMicroelectronics
Stmicroelectronics Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 1.55 Ω Miglioramento, 3.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD5N60DM2-image

Stmicroelectronics Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 1.55 Ω Miglioramento, 3.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD5N60DM2

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MarcaSTMicroelectronics
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Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale Tipo N 600 V, 1.55 Ω Miglioramento, 3.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD5N60DM2, Massima corrente di scarico continua (Id): 3.5A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 600V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 1.55Ω, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 5.3nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 45W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): 1.6V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30 V

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