STMicroelectronics
Stmicroelectronics Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 4.8 Ω Miglioramento, 2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD2HNK60Z
Specifiche
MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale Tipo N 600 V, 4.8 Ω Miglioramento, 2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD2HNK60Z, Massima corrente di scarico continua (Id): 2A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 600V, Serie: SuperMESH, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 4.8Ω, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 11nC, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): 1.6V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±30 V, Temperatura massima di funzionamento: 150°C
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