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Vishay Mosfet, Canale N, 75 MΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 75 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.85V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 0,71 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±8 V, Carica gate tipica @ Vgs: 3,5 nC a 4,5 V, Larghezza: 1.4mm, MPN: SI2302DDS-T1-GE3

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