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Rohm Mosfet, Canale Tipo N 60 V, 80 MΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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MarcaROHM
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Descrizione
ROHM MOSFET, canale Tipo N 60 V, 80 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 8A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 60V, Serie: RD3L080SN, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 80mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.5V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 15W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 9.4nC, MPN: RD3L080SNTL1

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