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Stmicroelectronics Igbt, Vce 600 V, Ic 60 A, Canale N, TO-247-image

Stmicroelectronics Igbt, Vce 600 V, Ic 60 A, Canale N, TO-247

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MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 60 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.75mm, Larghezza: 5.15mm, Altezza: 20.15mm, Dimensioni: 15.75 x 5.15 x 20.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STGW60V60DF

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