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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 80 V, 13.2 MΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 80 V, 13.2 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 50A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 80V, Serie: IPD, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 13.2mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 72W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 19nC, MPN: IPD50N08S413ATMA1

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