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Infineon Mosfet, Canale N, 2,8 MΩ, 270 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 2,8 mΩ, 270 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 380 W, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, Altezza: 9.65mm, MPN: IRLS3036TRLPBF

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