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Infineon Mosfet, Canale N, 2,8 MΩ, 270 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 2,8 mΩ, 270 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: HEXFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 380 W, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Carica gate tipica @ Vgs: 91 nC a 4,5 V, Larghezza: 4.83mm, MPN: IRLS3036TRLPBF

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