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Infineon Mosfet, Canale N, 11 MΩ, 85 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 11 MΩ, 85 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 11 mΩ, 85 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Serie: HEXFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 120 nC @ 10 V, MPN: IRF1010NSTRLPBF

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