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Infineon Mosfet, Canale N, 40 MΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 40 MΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 40 mΩ, 55 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Serie: HEXFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Carica gate tipica @ Vgs: 140 nC a 5 V, MPN: IRL2910STRLPBF

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