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Infineon Mosfet, Canale N, 1,8 MΩ, 250 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 1,8 MΩ, 250 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 1,8 mΩ, 250 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Serie: HEXFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 150 nC @ 10 V, MPN: IRFS7437TRLPBF

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